Thermal Slide Debonder

Ürün özellikleri :

– 2″, 3″ ve 4″ Wafer boyutları için uygun tabla arayüzü

– İstenilen Sıcaklık – Zaman grafiğine göre tablaları ısıtabilme

– Üst ve alt tablalarda birbirinden ayrı ısıtma rezistanları bulundurma, bu sayede homojen ısıtma sağlayarak termal stresleri önleme

– Z (Dikey eksende) ekseninde kuvvet kontrollü olarak baskı uygulayabilme

– Y (Yatay eksende) ekseninde kuvvet kontrollü olarak ayırma kuvveti uygulayabilme

– Paslanmaz çelik kabin

– Sağlıklı vakum sağlayabilmek için Vakum hattına bağlı bir buffer hacim

– Kullanıcının isteğine göre sıcaklık zaman ve kuvvetlere bağlı olarak farklı reçeteler oluşturabilme 

– Üst ve alt tablaların birbirine göre paralelliğini ayarlayabilmek için alt tablaya bağlı mikrometre knobları

Genel Görünüm
"Thermal Slide Debonding" işlemi nasıl gerçekleşir?

Silikon Wafer üretim sırasında taşlanarak 100 mikron kalınlığa kadar inceltilmektedir. Wafer kalınlığı inceltildiği için taşlama işlemi sırasında zarar görmektedir. bu nedenle taşlama işlemini gerçekleştirebilmek için Wafer kendisinden daha kalın bir taşıyıcı malzeme yapıştırılır. tüm bu işlemlerden sonra ise taşıyıcı ile Wafer’ın ayrılması gerekmektedir.

Bu ayırma işlemi için Silicon wafer ve taşıyıcı 300 °C’ye kadar ısıtılır. Yapıştırıcının ısı etkisiyle yumuşamasıyla beraber Wafer’a yanal kuvvet uygulanarak taşıyıcıdan ayrılır. Bu işlem manuel olarak yapılırken Wafer’a zarar verildiği için işlemin otomatik olarak yapılma ihtiyacı duyulmuştur.

Thermal Slide Debonder makinasının üst ve alt tablaları üzerinde 2″, 3″ ve 4″ büyüklüğündeki Wafer’ları tutabilecek arayüze sahiptir. Bu tablalar aynı zamanda 300 °C’ye kadar istenilen Sıcaklık – Zaman grafiğine göre ısıtılabilir. 

Ayırma işlemi aşağıdaki basamaklara göre gerçekleşebilir.

– Wafer ve taşıyıcı bütün tabla üzerine konulur.

– Üst tabla kuvvet kontrollü olacak şekilde aşağı doğru hareket eder. Yine kullanıcının belirlediği kuvvet kadar Wafer ve taşıyıcı bütün üzerine baskı yapar.

– Üst tabla istenilen kadar baskı uyguladıktan sonra üst ve alt tabla ikisi birlikte yine kullanıcının tanımladığı Sıcaklık – Zaman grafiğine göre ısıtılır ve istenilen süre kadar bekletilir. böylece hem Wafer hem de taşıyıcı homojen bir şekilde ısıtılıp sıcaklık farklarından doğabilecek termal streslerin önüne geçilmiş olur.

– Isıtma işlemlerinden sonra, alt tabla kuvvet kontrollü bir şekilde yana doğru kayarak Wafer ve taşıyıcıyı birbirinden ayırır. İşlem kuvvet kontrollü olarak yapıldığı için herhangi bir problemde Wafer’a zarar vermeden işlem otomatik olarak durur.

tr_TRTurkish